安森美推出垂直氮化镓功率半导体样品损耗降低近50% 助力多领域发展

2025年11月2日

（图片来自网络）

安森美于当地时间10月30日宣布推出并出样垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，这项技术应用了专有的GaN-on-GaN同质衬底技术。

该技术让电流垂直流过化合物半导体，既能实现更高的工作电压与更快的开关频率，又能让功率器件设计更紧凑。

安森美表示，vGaN功率半导体可降低能量损耗和热量，损耗减少近50%，助力AI数据中心、电动汽车、可再生能源、航空航天等领域的未来发展。

此外，安森美的vGaN垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1200V及以上高压；与横向GaN器件相比，垂直GaN器件的体积约为其三分之一，工作频率提升也意味着电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。

目前，安森美已向早期客户提供700V和1200V器件样品。

安森美推出垂直氮化镓功率半导体样品 损耗降低近50% 助力多领域发展