联发科首款台积电2nm旗舰SoC完成流片预计2026年底量产

2025年9月16日

（图片来自网络）

联发科今日宣布，旗下首款采用台积电2nm制程的旗舰SoC完成设计流片（Tape out），成为首批采用该技术的企业之一。预计该芯片将于2026年底进入量产并上市。

从产品规划推测，这很可能是联发科的下一代“天玑9系列”旗舰芯片（暂命名为天玑9600）。

台积电的2nm制程首次采用纳米片（Nanosheet）电晶体结构，在性能、功耗与良率上表现优异。联发科表示，与现有N3E制程对比，台积电强化版2nm制程逻辑密度增加1.2倍，相同功耗下效能提升高达18%，相同速度下功耗减少约36%。

目前联发科未公布具体产品名称，但行业分析认为这款芯片将成为旗舰手机的计算核心选择之一。IT之家将持续关注其后续进展与具体性能参数。

联发科首款台积电2nm旗舰SoC完成流片 预计2026年底量产