三星2月起向英伟达供应HBM4内存预计5月大规模出货

2026年1月26日

（图片来自网络）

据IT之家报道，北京时间今日凌晨，韩媒援引知情人士消息显示，三星电子正加速推进面向英伟达的12层堆叠HBM4高带宽内存量产准备，且英伟达的最终质量认证流程已完成。三星在自身存储芯片领域处于领先地位，预计从2月起启动针对英伟达的12层堆叠HBM4晶圆投片。

消息人士透露，该产品已于去年底进入英伟达最终认证阶段，使三星在全球三大存储芯片厂商（三星、海力士、美光）中进度领先。不过，三星与英伟达暂未对认证结果公开确认。此前媒体曾预测，认证结论或于1月20日后至2月初前浮出水面。

另外，海力士调整HBM4产品设计并重新申请认证，显示存储芯片市场竞争持续加剧。三星内部消息表明，若12层堆叠HBM4顺利通过认证且无需修改设计，从2月投片后约3个月完成工艺优化，具备商业供货的产品或将于5月中旬形成规模，随后逐步扩大出货。

业内人士指出，此前传闻的“2月就开始供应”更可能是少量样品，代表全面量产尚未启动。三星还计划借此契机加速16层堆叠HBM4等更高规格产品，但需等待客户验证和市场明朗。

三星2月起向英伟达供应HBM4内存 预计5月大规模出货