DRAM厂商HBM基础裸片计划现分歧：美光推迟至HBM4E才转换到台积电

2025年8月30日

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DRAM厂商在HBM基础裸片布局上出现分歧：美光、三星、SK海力士态度不同，影响HBM4时代发展。

随着AI加速器性能提升需求，AMD、英伟达下一代AI芯片将采用定制HBM4设计，推动HBM向代工厂制备基础裸片发展。此前传言英伟达自研HBM基础裸片，计划用台积电3nm工艺，但DRAM厂商中三星、SK海力士早计划在HBM4时代转用代工厂。

美光态度谨慎，推迟转换：美光因成本考量，暂时仍用DRAM工艺生产HBM4基础裸片，打算等到HBM4E时期才转至台积电生产。业内担忧此举可能让美光在竞争中失去优势。

对比之下，三星、SK海力士积极推动转换，SK海力士很早便与台积电合作开发HBM产品。这种差异源于DRAM工艺在速度、信号性能上落后代工厂，新一代HBM对性能要求提高，促使DRAM厂商尝试转换。

转换基础裸片至代工厂虽能解决热量、延迟等问题，但也带来成本压力。台积电生产的基础裸片占SK海力士HBM4总成本的20%，三星因自身有代工厂，或许能获得成本优势。美光延迟转换可能面临成本与竞争双重挑战，业内对其未来路线密切关注。