三星第九代V-NAND QLC闪存量产推迟至2026年上半年：存在设计缺陷影响性能

2025年9月17日

（图片来自网络）

三星第九代V - NAND QLC闪存量产推迟至2026年上半年，因存在设计缺陷影响产品性能，这对三星存储器业务来说是个重大挑战。去年4月，三星开始量产第九代V - NAND闪存，首批提供1Tb TLC闪存；9月起启动首款1Tb QLC闪存量产，主要针对企业级SSD市场增长趋势。不过据TrendForce等多方消息显示，该QLC闪存存在设计缺陷，导致性能出现问题，因此三星将大规模生产时间延后。

第九代V - NAND技术达到290层，相比第八代236层有进一步提升。但随着主要云端服务商增加人工智能（AI）基础设施并转向高性能AI推理，大容量存储需求攀升，三星希望通过更高存储密度的QLC SSD产品满足市场。但三星在QLC领域技术落后——旗舰QLC闪存仅采用第7代176层V - NAND技术，且未推出第8代V - NAND QLC产品。同期SK海力士发布321层2Tb QLC NAND闪存并量产，成为全球首个300层以上QLC NAND产品，集成度领先。若三星明年上半年实现量产，技术上大概率仍落后于SK海力士，尤其在2026年上半年计划进入AI数据中心市场的SK海力士产品。

考虑到SK海力士在存储器领域的强势表现，对三星而言压力不小。今年初三星虽展示即将发布的第10代V - NAND闪存（总层数超400层），但至今未公布具体量产时间表，当前设计缺陷和竞争态势给三星存储业务带来不小挑战。

（声明：该内容经AI精编）查看原网页

精彩评论（10）

网友10 2025-09-17 11

技术发展中的小插曲，但也能看到行业内的技术竞争和挑战，希望三星能尽快解决哦。
网友9 2025-09-17 11

存储市场现在很热闹，各企业都在搞新技术，三星这次得好好总结，不然会被甩开～
网友8 2025-09-17 11

三星出现设计缺陷导致量产推迟，反映出技术研发过程中的考验，企业得重视质量与竞争。
网友7 2025-09-17 11

了解这些存储新闻，感觉技术领域发展变化很大，企业要跟上节奏，可不容易。
网友6 2025-09-17 11

科技圈竞争很激烈，每个企业都得不断创新，三星这次遇到挑战，说不定能激发更强劲动力～
网友5 2025-09-17 11

三星的闪存技术推迟量产，这会影响业务发展，不过也能看到SK海力士在技术上的突破。
网友4 2025-09-17 11

从技术角度看，V - NAND层数提高有优势，但设计缺陷影响性能，说明研发要兼顾多方面，三星这波得调整策略。
网友3 2025-09-17 11

现在科技更新很快，闪存技术不断进步，消费者选择更多了，企业也得重视技术稳定。
网友2 2025-09-17 11

存储技术竞争激烈，三星得抓紧解决设计问题，不然在市场上更被动咯。
网友1 2025-09-17 11

科技发展太快啦，三星这设计缺陷影响量产，不过SK海力士的新技术也厉害，得看三星咋应对啊～

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