中国氮化镓产业技术演进：从消费级到车规级发展态势

中国氮化镓产业技术演进：从消费级到车规级的发展趋势

2025年上半年，中国氮化镓（GaN）产业在技术突破、产品创新和市场应用拓展方面取得了显著进展。从衬底、外延片到器件设计与制造，多家上市公司在GaN领域的布局逐步深化，推动产业链成熟与升级。以下从技术、场景、商业化三方面展开分析，展现产业发展图景。

一、技术突破与场景落地双轮驱动

目前，中国氮化镓产业正加速进入“规模化商用”阶段，衬底与外延片环节实现产能扩容与工艺优化，器件环节则在多领域完成批量出货，产业链各环节协同发展态势显著。

• 衬底与外延片环节：产能释放提速，工艺迭代聚焦良率与效率


• 器件设计与制造环节：多领域批量出货，车规与高端消费电子成增长引擎


• 技术创新方向：全电压谱系覆盖，合封与双向器件成新方向


• 场景拓展方向：从消费电子向AI、汽车、机器人全场景渗透

（一）衬底与外延片：产能释放提速，工艺迭代聚焦良率与效率

作为氮化镓产业链上游核心环节，衬底与外延片的技术成熟度和产能规模决定产业发展基础。上半年，头部企业通过扩产、工艺优化与创新，持续夯实产业根基。

• 三安光电在衬底与外延片领域持续领跑，硅基氮化镓技术平台完成升级：推出高散热、低寄生650V及100V耐压等级GaN产品，优化第一代中低压高速开关、低导通电阻GaN器件性能，开发双向开关GaN器件技术，满足车载充电器等场景需求。


• 聚灿光电聚焦外延技术创新与全色系布局，开发SiO₂/Al₂O₃复合衬底外延生长技术，实现大规模稳定量产，研发双波长和三波长外延层结构，满足高品质光源应用。


• 英诺赛科作为全球首家大规模量产8英寸晶圆的氮化镓IDM企业，工艺优化后生产成本下降、单个晶圆芯片产出量提升30%以上，产品电压覆盖范围扩大，生产良率超95%。

（二）器件设计与制造：多领域批量出货，车规与高端消费电子成增长引擎

氮化镓器件环节是产业链价值兑现核心，上半年头部企业在多领域实现突破。

• 闻泰科技（安世半导体）推出低压和高压E-mode GaNFET产品组合，广泛应用于消费电子、数据通信等领域，最新650V高压器件通过车企验证并进入量产准备。


• 士兰微推进8英寸车规级GaN器件研发，计划打造多品类融合解决方案，为车企供应链奠定基础。


• 华润微实现技术与市场双重突破，D-MODE与E-MODE平台产品迭代，氮化镓功率器件销售收入增长。

（三）技术创新、场景拓展、商业化：三大维度突破

上半年企业在技术创新、场景拓展、商业化落地三大维度取得标志性成果，推动产业走向系统成熟。

• 技术创新：全电压谱系覆盖，合封与双向器件成新方向。英诺赛科实现多项全球首次技术突破，三安光电在射频技术持续精进，为未来提供技术支撑。


• 场景拓展：从消费电子向AI、汽车、机器人全场景渗透，AI数据中心、新能源汽车、人形机器人等领域需求增长。


• 商业化：：毛利率转正，全球化布局提速，产业从“规模扩张”转向“盈利导向”。

二、未来趋势：技术、场景、供应链协同升级

基于上半年动态，中国氮化镓市场呈现三大发展趋势，产业竞争力向全球第一梯队靠拢。

• 技术趋势：向高电压、高集成、车规级深化，高电压与高功率密度成为研发重点，合封与系统级解决方案成差异化竞争焦点。


• 场景趋势：新兴领域（人形机器人、低空经济、AI数据中心）放量，渗透率提升。


• 供应链趋势：IDM模式成主流，自主化与全球化协同，加速供应链可控与市场拓展。

2025年上半年，中国氮化镓市场实现全面突破，从产业培育期迈入快速成长期。未来，随着技术、场景、供应链持续升级，产业有望成为全球创新与制造中心。