三星HBM3E测试突破，瞄准HBM4合作进展
（图片来自网络）
近日，三星存储业务传来重要进展：历经一年半的12层堆叠HBM3E终于通过了英伟达的质量测试，这一突破为三星后续在高端存储领域的发展奠定了基础。目前，三星正寄望于HBM4产品的进一步开发，以提升在英伟达存储供应链中的竞争力。
从技术竞争角度看，SK海力士作为英伟达主要HBM供应商，已提供8层和12层堆叠的HBM3E并准备供应HBM4，而三星在与SK海力士同期提供HBM3E样品时，曾因无法通过英伟达验证而影响存储业务营收。此次测试通过，源于三星今年初更新HBM3E设计、解决发热问题等工作，基于1αnm（第四代10nm级别）工艺打造的DRAM芯片发挥了关键作用。
业内人士分析，此次测试通过反映了三星对HBM3E产品性能的提升，也体现了英伟达推动存储供应商多元化的努力。不过当前测试仅完成第二轮内部晶圆验收测试（WAT），尚未获得英伟达正式批准，后续仍需完成更多验证步骤。而SK海力士已率先完成HBM4开发并构建量产体系，三星预计今年二季度将生产出HBM4样品并通过初步测试，需应对英伟达提高速度（如从8Gb/s到10Gb/s）的要求，借助1cnm工艺制造DRAM芯片的优势，满足英伟达下一代基于Rubin架构GPU对性能的需求。
从技术整合角度，三星本次突破不仅是工艺进步，也彰显其在DRAM与HBM工艺的融合能力，为未来与英伟达在AI加速器等领域的深度合作提供了技术支撑。
（声明：该内容经AI精编）
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