光刻胶领域实现新突破，技术解析助力芯片制程优化
光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者取得重要突破。
关键技术解析：通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，这极大地揭开了光刻领域“黑匣子”般的微观行为。
产业化方案：研究团队基于此发现，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案，为提升7纳米及以下先进制程芯片良率提供了新途径。
研究意义：相关论文发表在《自然·通讯》上。“显影”是光刻核心步骤之一，光刻胶在显影液中的运动直接影响电路图案精度与芯片良率。此前工业界因技术限制只能靠试错优化，如今通过技术突破得以在原子/分子尺度解析，为工艺改进提供科学依据。
彭海琳教授表示，冷冻电子断层扫描技术为解析各类液相界面反应提供了强大工具，深入掌握液体中聚合物结构与微观行为，将进一步推动先进制程中光刻、蚀刻等关键工艺的缺陷控制与良率提升。
（声明：该内容经AI精编）
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