HBM驱动键合革命：AI算力时代的半导体设备新战场
（图片来自网络）
HBM凭借高带宽、低功耗特性成为AI芯片性能突破核心组件，引领先进封装和3D堆叠技术发展，带动半导体后道设备需求激增，键合设备正是这场技术繁荣的“第一落点”。
在HBM制造中，键合设备技术迭代与需求同频共振。现阶段，HBM3/3E（8 - 12层）主要依赖热压键合（TCB）设备，其技术路线以TC - NCF（非导电薄膜热压键合）与TC - MUF（模塑底部填充热压键合）并行发展。随着堆叠层数增加，传统TC - NCF散热问题凸显，TC - MUF成为新一代量产主流；未来混合键合被视为HBM进一步演进的关键技术。
- 据摩根大通预测，2027年HBM TCB设备市场规模将突破15亿美元，较2024年实现超两倍增长，体现设备需求增长趋势。
- 半导体技术向小尺寸、高集成度发展，TCB设备作为先进封装核心，需求显著增加，设备厂商的业绩增长充分印证市场热度。
厂商层面，国际与国内企业积极布局。日本DISCO、韩国韩美半导体、韩华SemiTech等厂商在TCB设备领域表现突出，凭借技术优势占据市场；新加坡ASMPT以超500台的TCB装机量构建护城河，成为行业标杆。国内厂商如华卓精科、拓荆科技等也逐步突破关键技术，推动国产化进程。
技术演进视角，HBM从低层数向高层数堆叠，驱动键合工艺升级。早期HBM采用TC - NCF，现主流为8/12层堆叠的TC - MUF，良率与成本提升明显；未来16/20层堆叠需混合键合技术，将成为技术发展方向，尽管面临良率与成本挑战，但已被广泛认可。
混合键合作为未来趋势，其设备市场增速亮眼。Yole数据显示，2024年混合键合设备市场增速达67%，未来渗透率与市场规模将快速增长，展现技术潜力。
展望未来，TCB与混合键合设备并存互补，TCB凭借成熟度与成本优势短期主导，混合键合长期成为超高层堆叠方案，设备厂商将持续创新以适应技术发展，推动半导体产业进步。
（声明：该内容经AI精编）
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