英伟达GB10超级芯片详解:台积电3nm工艺加持,2.5D封装与140W TDP性能突破
(图片来自网络)
英伟达GB10超级芯片技术解析
在2025年Hot Chips技术大会上,英伟达详细介绍了其GB10 Grace Blackwell超级芯片,以下是技术亮点与性能解析:
- 工艺与封装:采用台积电3nm工艺制造,结合2.5D封装技术,由S-dielet(CPU和内存子系统)与G-dielet(GPU)两个dielet组成,实现高效集成。
- TDP参数:芯片TDP为140W,在性能与功耗平衡方面表现出色,适合紧凑型设备使用。
- 核心架构:CPU基于Arm架构v9.2,拥有20个内核(分两个集群,每个集群含16MB L3缓存,总计32MB),支持多核高效运算;GPU基于Blackwell架构,含6144个CUDA核心,支持光线追踪与DLSS4,FP32算力达31 TFLOPS,NVFP4算力达1000 TOPS。
- 内存系统:支持256-bit LPDDR5X内存,最高运行速率达9400 MT/s,提供301 GB/s带宽,最大容量可达128GB,保障数据传输效率。
- 系统互联:采用高性能一致性互联(CHI-E协议),通过C2X与C2C接口实现高带宽、低功耗的SoC内互联,支持CPU与GPU间高效数据共享。
- 外设支持:可驱动多达4个显示设备(3个DisplayPort + 1个HDMI),支持最高4K@120Hz或8K@120Hz输出,满足多屏处理需求。
该芯片的发布标志着英伟达正式进军AI PC市场,为开发人员提供紧凑型超级计算机解决方案,助力AI技术普及。
(声明:该内容经AI精编)
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