光刻胶领域我国实现技术新突破
（图片来自网络）
光刻胶技术突破：新方法解析微观行为，减少芯片缺陷
光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队，通过冷冻电子断层扫描（cryo-ET）技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，并指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案，相关研究发表于《自然-通讯》。
破解显影环节难题，解析微观世界
光刻的“显影”是关键步骤，光刻胶在显影液中的运动直接影响芯片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是“黑匣子”，工业界只能靠反复试错优化工艺。研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域：在晶圆曝光后，快速将含光刻胶的显影液冷冻至玻璃态，用冷冻电镜采集高分辨率二维图像，再重构成三维视图，解决了传统技术无法原位、三维、高分辨观测的难题。
新发现与产业化方案
研究发现，光刻胶聚合物多吸附在气液界面，易发生“凝聚缠结”形成团聚颗粒（芯片缺陷根源）。团队提出两项方案：一是提高曝光后烘烤温度抑制缠结；二是优化显影工艺保持连续液膜，减少聚合物沉积。结合后12英寸晶圆表面缺陷数量降幅超99%。
彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为解析液相界面反应提供了强大工具，推动先进制程光刻、蚀刻等工艺缺陷控制与良率提升。
（声明：该内容经AI精编）
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