三星2月起向英伟达供货HBM4内存芯片 引领存储技术新突破
（图片来自网络）
三星电子计划于2月开始向英伟达供货下一代高带宽内存（HBM4）芯片，这标志着其在先进存储芯片领域实现关键突破，有望缩小与主要竞争对手的差距。
据路透报道，三星已通过英伟达的HBM4资格测试，将于2月开始出货。此前，三星在HBM供应上的延迟曾对其业绩和股价造成影响，此次供货是其在存储芯片领域追赶的关键一步。
英伟达首席执行官表示，其下一代芯片平台将搭配HBM4芯片，计划于今年晚些时候推出。两家公司都在先进存储领域加大投入，以提升产品竞争力。
SK海力士作为当前先进存储芯片的主要供应商，也在推进自身产能扩张。本周四两家公司都将公布第四季度财报，预计将披露更多关于HBM4订单的细节。
- 三星此次供货时间与SK海力士存在差异，引发市场对行业竞争格局的关注。
- HBM4作为新一代内存技术，将广泛应用于人工智能、高性能计算等领域，市场需求潜力巨大。
- 英伟达对存储芯片供应商的选择，直接关系到其芯片平台的性能优化，此次合作具有战略意义。
- 三星通过此举措进一步巩固在半导体存储领域的位置，推动行业技术进步。
（声明：该内容经AI精编）
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